本发明公开了一种适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方依次为n型FS层、p+阳极区及其阳极电极；在有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p-基区，p-基区上面为p+基区，p+基区中间位置设置有一个n+发射区，每个n+发射区上方设置有阴极电极；p+基区上方设置有一个门极电极；在终端区的n-衬底内，设有与有源区内主结的p基区弯曲处相连的两级阶梯型的p型延伸区。本发明还公开了上述的阶梯型平面终端结构的制备方法。本发明的结构有效实现了击穿电压和终端面积的最佳折衷。