Invention Grant
- Patent Title: 具有稳定供电的电容器的半导体集成电路及其制造方法
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Application No.: CN201210037951.7Application Date: 2012-02-20
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Publication No.: CN102903717BPublication Date: 2016-06-29
- Inventor: 金宗洙
- Applicant: 海力士半导体有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 海力士半导体有限公司
- Current Assignee: 觅蜜IP有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国德克萨斯州
- Agency: 北京弘权知识产权代理事务所
- Agent 俞波; 郭放
- Priority: 10-2011-0074469 2011.07.27 KR
- Main IPC: H01L27/06
- IPC: H01L27/06 ; H01L21/77
Abstract:
本发明提供一种具有提供稳定电源的电容器的半导体集成电路及其制造方法。在外围电路区域中形成有虚设电容器组，且虚设电容器组包括虚设储存节点接触单元、电介质和虚设平板电极。在外围电路区域中形成有金属氧化物半导体(MOS)电容器，且MOS电容器与虚设电容器组并联连接。虚设电容器组的电容可以大于MOS电容器的电容。
Public/Granted literature
- CN102903717A 具有稳定供电的电容器的半导体集成电路及其制造方法 Public/Granted day:2013-01-30
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IPC分类:
