发明授权
- 专利标题： ITO溅射靶
- 专利标题（英）： ITO Sputtering Target
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申请号： CN201180025334.9申请日： 2011-06-09
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公开(公告)号： CN102906301B公开(公告)日： 2014-11-26
- 发明人: 挂野崇 , 铃木了 , 栗原敏也 , 中村祐一郎 , 关和广 , 牧野修仁 , 熊原吉一
- 申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
- 当前专利权人： 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 穆德骏
- 优先权： 2010-258439 2010.11.19 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/063211 2011.06.09
- 国际公布： WO2012/066810 JA 2012.05.24
- 进入国家日期： 2012-11-21
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34
摘要：
本发明涉及一种ITO溅射靶，通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成，其中，仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层。本发明的课题在于提供：即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是FPD用溅射靶。
公开/授权文献
- CN102906301A ITO溅射靶 公开/授权日：2013-01-30