发明授权
CN102944975B 一种掩膜板及其制造方法,阵列基板的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种掩膜板及其制造方法,阵列基板的制造方法
- 专利标题(英): Mask plate and manufacturing method thereof, and array substrate manufacturing method
-
申请号: CN201210418490.8申请日: 2012-10-26
-
公开(公告)号: CN102944975B公开(公告)日: 2014-06-11
- 发明人: 赵海廷 , 孙亮 , 孟春霞
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理商 申健
- 主分类号: G03F7/00
- IPC分类号: G03F7/00 ; G03F7/42 ; H01L21/77
摘要:
本发明实施例提供一种掩膜板及其制造方法,阵列基板的制造方法,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量,降低显影液的浓度,以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性,提高了产品的良品率。本发明的掩膜板,包括基板,设置于基板上的第一图案区及第二图案区,第二图案区包括部分透射区域和全透射区域,当刻蚀扇出导线区的源漏极层时,部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域,全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域,光刻胶部分保留区域对应于扇出导线,光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
公开/授权文献
- CN102944975A 一种掩膜板及其制造方法,阵列基板的制造方法 公开/授权日:2013-02-27