- 专利标题： 具有场截止缓冲层的IGBT器件及制造方法
- 专利标题（英）： IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) device with field stop buffer layer and manufacture method of IGBT device
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申请号： CN201210506969.7申请日： 2012-11-29
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公开(公告)号： CN102945858B公开(公告)日： 2015-06-10
- 发明人: 顾悦吉 , 闻永祥 , 刘琛 , 刘慧勇
- 申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号
- 专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 郑玮
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L21/331
摘要：
本发明提供一种场截止缓冲层，形成在IGBT器件中，包括：N型衬底；以及P型埋层，形成在N型衬底中。本发明还提供一种具有场截止缓冲层的IGBT器件，包括：场截止缓冲层，场截止缓冲层包括N型衬底和形成在N型衬底中的P型埋层；N-外延层，形成在N型衬底表面上；IGBT正面结构，形成在N-外延层表面上；阳极空穴发射区，形成在远离N-外延层的N型衬底的背面上；以及背面阳极集电极，形成在阳极空穴发射区上。本发明又提出一种具有场截止缓冲层的IGBT器件的制造方法，通过增加场截止缓冲层厚度以及调整P型埋层与N型衬底之间的浓度和厚度，以提高IGBT器件的电流密度，降低导通损耗。
公开/授权文献
- CN102945858A 具有场截止缓冲层的IGBT器件及制造方法 公开/授权日：2013-02-27
IPC分类:
