发明授权
CN102955116B 由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备
失效 - 权利终止
- 专利标题： 由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备
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申请号： CN201210298666.0申请日： 2012-08-21
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公开(公告)号： CN102955116B公开(公告)日： 2017-06-13
- 发明人: 陈东
- 申请人： 布鲁克纳米公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 布鲁克纳米公司
- 当前专利权人： 布鲁克纳米公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 关兆辉; 谢丽娜
- 优先权： 61/525,770 20110821 US 13/333,433 20111221 US
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流‑电压关系的电流‑电压曲线（I‑V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，通过从（I‑V）模型减去由拟合该（I‑V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算器件的电流‑电压曲线（I‑Vd）。
公开/授权文献
- CN102955116A 由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备 公开/授权日：2013-03-06
