发明授权
- 专利标题: 具有台阶的衬底的光刻方法
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申请号: CN201110240764.4申请日: 2011-08-22
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公开(公告)号: CN102955364B公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 王雷
- 申请人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 孙大为
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20
摘要:
本发明公开了一种具有台阶的衬底的光刻方法,其包括如下步骤:步骤一,在衬底表面涂光刻胶,将曝光机的焦点设置在台阶底部位置,而后采用光刻掩膜版进行曝光;步骤二,在步骤一中的光刻胶上再涂一光刻胶层,之后将所述曝光机的焦点设置在所述光刻胶层表面,进行全面曝光;步骤三,对所述衬底进行加热处理,使形成的光酸扩散均匀,所述加热处理的温度小于所述光刻胶分解的温度;步骤四,对衬底进行显影,形成最终图形。采用本发明的光刻方法,使最终光刻胶形貌更接近于设计需求。
公开/授权文献
- CN102955364A 具有台阶的衬底的光刻方法 公开/授权日:2013-03-06