发明授权
CN102955622B 基于多维电场模式的光学传感式触摸屏及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于多维电场模式的光学传感式触摸屏及其制备方法
-
申请号: CN201210401431.X申请日: 2012-10-19
-
公开(公告)号: CN102955622B公开(公告)日: 2016-04-13
- 发明人: 胡明 , 徐宇博 , 林炳仟
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: G06F3/042
- IPC分类号: G06F3/042 ; G02F1/1333 ; G02F1/1362
摘要:
本发明公开了基于多维电场模式的光学传感式触摸屏及其制备方法,在TFT阵列基板的至少一条数据信号线旁添加传感信号线,将至少一条公共电极线设置为传感控制线,并在传感信号线和传感控制线交叠处设置光学传感单元,每个光学传感单元在传感控制线和栅极信号线同时传递电信号时,将照射到光学传感单元的光强转化为电压信号通过传感信号线输出。由于传感信号线设置在数据信号线的一侧,且光学传感单元设置在传感控制线和传感信号线的交叠处,两者都位于像素单元的非显示区域,因此不会降低开口率;并且,在制备液晶面板各像素单元的同时制备出光学传感单元,不用增加新的工艺步骤,因此也降低了触摸屏的制作成本。
公开/授权文献
- CN102955622A 基于多维电场模式的光学传感式触摸屏及其制备方法 公开/授权日:2013-03-06