本发明公开了一种功率晶体管的制造方法，本发明方法通过在栅多晶硅顶部形成的绝缘介质层、以及绝缘介质层侧面形成的侧壁介质层作为承压区刻蚀的硬掩膜，减少了正面工艺所需要的掩膜版的数量，能提高芯片内晶体管的密度。本发明方法通过在P型阱区内部植入一P型多晶硅层，并通过金属接触将之与源极短接，有利于P型阱区的空穴流迅速流出而减少空穴的积累，从而能提高器件的抗闩锁的能力。本发明方法还有利于获得更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的功率器件。