发明公开
- 专利标题: 一种高导热微波衰减AlN基复合材料及其制备方法
- 专利标题(英): High thermal conductivity microwave attenuation AlN-based composite material and preparation method thereof
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申请号: CN201210536786.X申请日: 2012-12-13
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公开(公告)号: CN102978500A公开(公告)日: 2013-03-20
- 发明人: 贾成厂 , 高鹏 , 张玉利 , 王江源 , 崔照雯 , 常宇宏
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京金智普华知识产权代理有限公司
- 代理商 皋吉甫
- 主分类号: C22C29/16
- IPC分类号: C22C29/16 ; C22C1/05
摘要:
一种高导热微波衰减AlN基复合材料及其制备方法,属于微波电子真空技术领域。本发明选取CNTs和W作为金属相,AlN为介质相,包括CNTs:(0.1-2.0)vol.%、W:(1.0-20.0)vol.%和AlN:(100-CNTs-W)vol.%。将CNTs、W粉和AlN粉按一定的体积比混合得到混合料;将混合料成形与烧结,得到CNTs/W/AlN复相微波吸收材料。材料的相对密度>98%,介电常数17~25,介电损耗角正切>0.04,在70kHz~1MHz范围内具有良好的吸波性能,特别适合制备微波电真空器件,应用于消极电子对抗和微波测量系统中。