本发明公开了一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述氧化膜和/或氮化膜作为研磨阻挡层；5)采用刻蚀工艺将深沟槽两侧的氧化膜和/或氮化膜部分回刻，以使硅脊露出；6)采用刻蚀工艺将此硅脊刻蚀去除。本发明能达到去除在外延过程中由于引入刻蚀性气体而在氧化层中所造成的底部切口中的单晶硅的目的，为后续的栅极多晶硅和栅极氧化层沉积提供了良好的表面形貌，从而可避免硅脊对后续的工艺产生影响，避免影响器件的某些电学性能。