- 专利标题： 将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路
- 专利标题（英）： Snubber circuit and method of using bipolar junction transistor in snubber circuit
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申请号： CN201210340087.8申请日： 2012-09-13
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公开(公告)号： CN103001478B公开(公告)日： 2015-02-04
- 发明人: 林国藩
- 申请人： 全汉企业股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾桃园县
- 专利权人： 全汉企业股份有限公司
- 当前专利权人： 全汉企业股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾桃园县
- 代理机构： 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 优先权： 101103040 2012.01.31 TW; 61/533,796 2011.09.13 US; 61/682,319 2012.08.13 US
- 主分类号： H02M1/34
- IPC分类号： H02M1/34
摘要：
本发明公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包括有：至少一阻抗组件、一电容器、以及一双极性结型晶体管。该缓冲电路是用于保护电力／电子组件、降低高频干扰及突波电压、以及改善效率。尤其是，该缓冲电路中的该至少一阻抗组件可为至少一齐纳二极管；针对保护电力／电子组件、降低高频干扰及突波电压、以及改善效率，该缓冲电路在采用齐纳二极管的情况下的效能较在采用别种阻抗组件的情况下的效能更佳。
公开/授权文献
- CN103001478A 将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路 公开/授权日：2013-03-27
