本发明涉及一种在单晶硅晶圆上实现高速率沉积SiO2薄膜的背封工艺，通过增大气体流量的方式增大反应气体的压强，使反应腔室内反应气体的浓度增加，反应产物SiO2的浓度相应增加,通过周边吹扫氮气形成U形氮气墙，使反应区域压强积累，实现在单晶硅晶圆表面高速沉积SiO2薄膜；发明的优点是：通过高速率沉积背封工艺制备单晶硅晶圆背封材料，其设备简单，制程温度低，沉积速度快，沉积速率能达到3575nm/min，保持沉积精度高，边缘氧化膜去除相对简单，适用于大规模工业生产的制备单晶硅晶圆背封。