- 专利标题： 一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用
- 专利标题（英）： Aluminum nitride film growing on silicon substrate and preparation method and application thereof
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申请号： CN201210536779.X申请日： 2012-12-11
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公开(公告)号： CN103022295B公开(公告)日： 2015-03-04
- 发明人: 李国强
- 申请人： 广州市众拓光电科技有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房
- 专利权人： 广州市众拓光电科技有限公司
- 当前专利权人： 广州市艾佛光通科技有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房
- 代理机构： 广州市越秀区哲力专利商标事务所
- 代理商 汤喜友
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12 ; H01L31/0352 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种生长在Si衬底上的AlN薄膜，其采用如下制备方法获得：采用Si衬底，选择Si衬底的（111）晶面为晶体取向，先在Si(111)晶面上生长出Al缓冲层，再外延生长AlN薄膜。本发明使用Si为衬底，同时采用脉冲激光沉积生长法在Si（111）衬底上生长AlN薄膜，AlN晶体择优取向生长，获得衬底与AlN之间很低的晶格失配度，极大地提高了AlN晶体的质量，适合应用在光电探测器、LED器件中。
公开/授权文献
- CN103022295A 一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 公开/授权日：2013-04-03
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