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发明授权
CN103026470B 激光加工方法 失效 - 权利终止

激光加工方法
摘要：
一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（1）的激光加工方法，其包含：通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7）的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜（22）的耐蚀刻膜产生工序；以及在耐蚀刻膜产生工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，使改质区域（7）露出于加工对象物（1）的外表面的激光加工方法。
摘要（英）：

A laser processing method of converging laser light into an object to be processed made of silicon so as to form a modified region and etching the object along the modified region so as to form the object with a through hole comprises a laser light converging step of converging the laser light at the object so as to form the modified region along a part corresponding to the through hole in the object; an etch resist film producing step of producing an etch resist film resistant to etching on an outer surface of the object after the laser light converging step; and an etching step of etching the object so as to advance the etching selectively along the modified region and form the through hole after the etch resist film producing step; while the laser light converging step exposes the modified region to the outer surface of the object.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
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