Invention Grant
- Patent Title: 一种从工业硅中去除杂质的方法
- Patent Title (English): Method for removing impurities from industrial silicon
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Application No.: CN201210528381.1Application Date: 2012-12-10
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Publication No.: CN103030149BPublication Date: 2014-09-24
- Inventor: 王志 , 张虎 , 胡磊
- Applicant: 中国科学院过程工程研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北二条1号
- Assignee: 中国科学院过程工程研究所
- Current Assignee: 中国科学院过程工程研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北二条1号
- Agency: 北京法思腾知识产权代理有限公司
- Agent 杨小蓉; 杨青
- Main IPC: C01B33/037
- IPC: C01B33/037
Abstract:
本发明涉及一种从工业硅中去除杂质的方法。本发明的从工业硅中去除杂质的方法,包括以下步骤:1)将硅块经粉碎研磨后,筛分得到100~200目的硅粉;2)将硅粉水洗净化,加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液浸出;3)将处理后的硅粉加入到王水溶液中进行第二次浸出;4)将处理后的硅粉加入到氢氟酸溶液中进行第三次浸出;上述步骤2)、3)、4)顺序任意变换调整;5)将所得硅粉用纯净水洗涤至中性,最后干燥处理,获得提纯后的硅粉。本发明根据工业硅的杂质赋存形态和特点,优化选择酸介质的组合及其浓度,反应步骤等条件,在常规条件下将工业硅纯度提高至4N以上的纯度。
Public/Granted literature
- CN103030149A 一种从工业硅中去除杂质的方法 Public/Granted day:2013-04-10
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