发明授权
- 专利标题: 强磁性材料溅射靶
- 专利标题(英): Ferromagnetic material sputtering target
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申请号: CN201180037308.8申请日: 2011-01-28
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公开(公告)号: CN103038388B公开(公告)日: 2015-04-01
- 发明人: 佐藤敦 , 高见英生
- 申请人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 当前专利权人: 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 穆德骏
- 优先权: 2010-197887 2010.09.03 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/051775 2011.01.28
- 国际公布: WO2012/029331 JA 2012.03.08
- 进入国家日期: 2013-01-29
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C22C32/00 ; G11B5/851 ; H01F10/16 ; H01F41/18
摘要:
本发明涉及一种强磁性材料溅射靶,其为包含以Co作为主要成分的金属和非金属无机材料粒子的烧结体溅射靶,其特征在于,存在饱和磁化强度不同的多个金属相,并且在各个金属相中分散有非金属无机材料粒子。本发明的课题在于,通过增大溅射靶的漏磁通,可以得到能够得到稳定的放电,并且在磁控溅射装置中,可以得到稳定的放电,并且溅射时的粉粒产生少的强磁性材料溅射靶,磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶。
公开/授权文献
- CN103038388A 强磁性材料溅射靶 公开/授权日:2013-04-10
IPC分类: