发明授权
- 专利标题： 一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法
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申请号： CN201110315850.7申请日： 2011-10-17
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公开(公告)号： CN103043710B公开(公告)日： 2015-09-16
- 发明人: 王元生 , 牛牧童 , 黄烽
- 申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
- 申请人地址： 福建省福州市杨桥西路155号
- 专利权人： 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人： 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人地址： 福建省福州市杨桥西路155号
- 主分类号： C01G19/02
- IPC分类号： C01G19/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提供一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法。将预先获得的α-Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中，通过溶剂热反应在α-Fe2O3纳米晶上异质生长纳米SnO2，形成半导体异质结。本发明的制备方法过程简便、原料廉价、产率高，适用于目前文献报导的各种形貌和暴露面的α-Fe2O3纳米晶，且不受纳米晶表面残留的表面活性剂的影响。
公开/授权文献
- CN103043710A 一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法 公开/授权日：2013-04-17