Invention Grant
- Patent Title: 一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法
- Patent Title (English): Method for preparing solar polycrystalline silicon by using electro-thermal metallurgy of crystalline silicon cutting wastes
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Application No.: CN201310031510.0Application Date: 2013-01-28
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Publication No.: CN103086378BPublication Date: 2014-07-23
- Inventor: 邢鹏飞 , 庄艳歆 , 李大纲 , 都兴红 , 边雪 , 付念新 , 涂赣峰
- Applicant: 东北大学
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- Assignee: 东北大学
- Current Assignee: 云南天创能源材料有限公司
- Current Assignee Address: 655100 云南省曲靖市马龙区东光工业园区
- Agency: 沈阳东大知识产权代理有限公司
- Agent 梁焱
- Main IPC: C01B33/023
- IPC: C01B33/023
Abstract:
本发明属于冶金技术领域,特别涉及一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法。本发明方法是将晶体硅切割工序中产生的“超细碳化硅废料”、“一次切割废料”和“二次切割废料”这三种废料按照任意比例进行混合作为原料,进行酸洗除杂后进行高温真空处理,配入二氧化硅粉料,加入粘结剂,混合均匀后压制成球团并烘干,放入矿热炉或电弧炉内,进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt%的高纯硅,对高纯硅再进行定向凝固,得到太阳能级的多晶硅产品。本发明将晶体硅切割工序中产生的废料变废为宝,并通过电热冶炼的方法获得了太阳能级的多晶硅,实现了资源的高效再生利用。
Public/Granted literature
- CN103086378A 一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法 Public/Granted day:2013-05-08
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