发明授权
- 专利标题： 一种铜互连结构的制造方法
- 专利标题（英）： Manufacture method of copper interconnection structure
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申请号： CN201110336844.X申请日： 2011-10-31
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公开(公告)号： CN103094184B公开(公告)日： 2015-04-01
- 发明人: 鲍宇
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理商 董巍; 顾珊
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明提供一种铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上沉积覆盖层；在所述覆盖层上沉积电介质层；在所述电介质层上形成硬掩膜层；进行沟槽和/或接触孔的刻蚀；去除所述硬掩膜层；在所述电介质层上以及沟槽和/或接触孔内壁上沉积阻障层和种晶层；在所述阻障层和种晶层上化学电镀铜金属层；将铝离子注入到所述铜金属层中；进行铜金属层的化学机械研磨。最后，在所述铜金属层上沉积一顶覆盖层。
公开/授权文献
- CN103094184A 一种铜互连结构的制造方法 公开/授权日：2013-05-08
IPC分类:
