Invention Publication
CN103101887A Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用
失效 - 权利终止
- Patent Title: Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用
- Patent Title (English): Bi3Se4 nanobelt and application of Bi3Se4 nanobelt as thermoelectric material
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Application No.: CN201310049167.2Application Date: 2013-02-07
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Publication No.: CN103101887APublication Date: 2013-05-15
- Inventor: 马德伟
- Applicant: 浙江工业大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市下城区潮王路18号
- Assignee: 浙江工业大学
- Current Assignee: 浙江工业大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市下城区潮王路18号
- Agency: 杭州天正专利事务所有限公司
- Agent 黄美娟; 俞慧
- Main IPC: C01B19/04
- IPC: C01B19/04 ; B82Y40/00 ; H01L35/16
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Abstract:
本发明公开了一种Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用,所述Bi3Se4纳米带的制备步骤如下:(1)将硒粉加入液体石蜡或ODE中,磁力搅拌,并加热至190℃以上,使硒粉充分溶解,制得Se先驱体溶液;(2)将Bi2O3加入液体石蜡或ODE中,并加入油酸,加热至230℃以上,使Bi2O3发生溶解,制得Bi先驱体溶液;(3)注射器快速抽取Se先驱体溶液加入Bi先驱体溶液中,并保持Bi/Se的摩尔比为3/4,搅拌下于230~300℃下反应15s~30min,然后倾入甲醇中淬灭反应,静置形成絮状沉淀,离心得到Bi3Se4纳米带。本发明制得的Bi3Se4材料具有纳米带状结构,可用作热电材料。本发明的制备方法具有设备简单、成本低廉、绿色环保、产物性能优良等特点,为合成高质量Bi3Se4纳米材料提供了一条切实可行的途径。
Public/Granted literature
- CN103101887B Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用 Public/Granted day:2014-08-27
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