• Patent Title: 可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法
  • Patent Title (English): Low temperature sintered microwave dielectric ceramic BiZn2VO6 and preparation method thereof
  • Application No.: CN201310094074.1
    Application Date: 2013-03-22
  • Publication No.: CN103113103B
    Publication Date: 2014-04-16
  • Inventor: 方亮郭汝丽郑少英向飞
  • Applicant: 桂林理工大学
  • Applicant Address: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
  • Assignee: 桂林理工大学
  • Current Assignee: 临沂高新文旅发展有限公司
  • Current Assignee Address: 276000 山东省临沂市高新技术产业开发区创新大厦B座413
  • Main IPC: C04B35/495
  • IPC: C04B35/495 C04B35/622
可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法
Abstract:
本发明公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为BiZn2VO6。(1)将纯度为99.9%以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO6的组成配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在650℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在710~750℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。本发明制备的陶瓷在710-750℃烧结良好,其介电常数达到32~36,品质因数Qf值高达65000-108000GHz,谐振频率温度系数小。
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