发明公开
CN103113827A 用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层
- 专利标题(英): Compositions and antireflective coatings for photolithography
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申请号: CN201210355370.8申请日: 2012-09-21
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公开(公告)号: CN103113827A公开(公告)日: 2013-05-22
- 发明人: 饶袁桥 , R.L.奥格 , C.W.基亚里 , Y.N.斯里瓦斯塔瓦 , C.P.沙利文
- 申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗姆哈斯电子材料有限责任公司
- 申请人地址: 美国密歇根州
- 专利权人: 陶氏环球技术有限责任公司,罗姆哈斯电子材料有限责任公司
- 当前专利权人: 陶氏环球技术有限责任公司,罗姆哈斯电子材料有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国密歇根州
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 吴培善
- 优先权: 61/537,097 2011.09.21 US
- 主分类号: C09D183/07
- IPC分类号: C09D183/07 ; C09D143/04 ; G03F7/09 ; G03F7/16 ; C08G77/20 ; C08F130/08 ; C08F230/08
摘要:
本发明提供一种组合物,其包括至少以下的A和B:A)含有以下结构单元1的聚合物,其中L是CX-CYZ,其中X,Y,和Z各自独立地选自氢,烷基,或者取代的烷基;和M是亚烷基,亚芳基,取代的亚烷基,取代的亚芳基,或者C(O)O-W-,其中W是亚烷基或者取代的亚烷基;和R’,R”,和R”’各自独立地选自芳族烃,脂族烃,或者取代的烃,其包括O,N,S,或者Si原子中的一个或者多个,条件是R’,R”,和R”’中的至少一个选自烷氧基,芳氧基,羟基,卤素,羧基,或者碳酸酯;和p是1至10,000的整数;和条件是该聚合物不包括多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)结构;和B)由第一组合物形成的聚合物,所述第一组合物包括本申请中所述的化合物F1,化合物F2,化合物F3和/或化合物F4中的至少一种。
公开/授权文献
- CN103113827B 用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层 公开/授权日:2017-03-01
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