Invention Grant
- Patent Title: 制造谐振式传感器的方法
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Application No.: CN201210510312.8Application Date: 2012-12-03
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Publication No.: CN103130179BPublication Date: 2016-03-30
- Inventor: 野田隆一郎 , 吉田隆司
- Applicant: 横河电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 横河电机株式会社
- Current Assignee: 横河电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 陈源; 李铭
- Priority: 2011-264543 2011.12.02 JP
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00 ; G01L9/00 ; G01L1/10

Abstract:
一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法,包括:(a)提供SOI衬底,SOI衬底包括:第一硅层;在第一硅层上的氧化硅层;以及在氧化硅层上的第二硅层;(b)通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层,来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙;(c)在第二硅层上形成杂质扩散源层;(d)在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层;(e)通过蚀刻去除杂质扩散源层;以及(f)通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分,从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。
Public/Granted literature
- CN103130179A 制造谐振式传感器的方法 Public/Granted day:2013-06-05
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