- 专利标题: CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用
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申请号: CN201210572411.9申请日: 2012-12-25
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公开(公告)号: CN103131420B公开(公告)日: 2014-10-29
- 发明人: 蔡林涛 , 高笃阳 , 张鹏飞 , 贾静 , 胡德红 , 盛宗海 , 龚萍
- 申请人: 深圳先进技术研究院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
- 专利权人: 深圳先进技术研究院
- 当前专利权人: 深圳先进技术研究院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 吴平
- 主分类号: C09K11/89
- IPC分类号: C09K11/89 ; C09K11/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明提供一种CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及双模态半导体纳米材料。一种CdHgTe量子点的制备方法,包括如下步骤:将碲溶解于有机膦中得到碲前体;将醋酸汞加入到含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中反应得到沉淀,将沉淀干燥洗涤后溶于氯仿中得到汞前体;在氮气的保护下,将氧化镉、油胺、十四烷基磷酸及十八烯混合后加热至280℃~310℃,加入碲前体,降温至240℃~260℃反应得到反应液;及将反应液与丙酮混合后离心分离,将离心得到的沉淀物溶于氯仿中,加入汞前体反应两小时,加入正己烷和甲醇的混合液,离心后得到CdHgTe量子点溶液。上述CdHgTe量子点溶液的制备方法操作较为简单。
公开/授权文献
- CN103131420A CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用 公开/授权日:2013-06-05