发明授权
- 专利标题： 阻挡层的形成方法和半导体器件
- 专利标题（英）： Formation method of barrier layer and semiconductor device
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申请号： CN201110397291.9申请日： 2011-12-02
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公开(公告)号： CN103137549B公开(公告)日： 2015-03-11
- 发明人: 鲍宇
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/3105 ; H01L23/532
摘要：
一种阻挡层的形成方法和半导体器件，其中阻挡层的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有介质层，所述介质层内形成有开口；在所述开口侧壁和底部形成第一阻挡层；采用倾斜离子注入工艺对所述开口侧壁的第一阻挡层进行氮离子注入；在氮离子注入的第一阻挡层表面和位于开口底部的第一阻挡层表面形成第二阻挡层。本发明实施例的阻挡层的形成方法形成的产品电学性能优良，本发明实施例的半导体器件电学性能优良。
公开/授权文献
- CN103137549A 阻挡层的形成方法和半导体器件 公开/授权日：2013-06-05