本发明提供一种深沟槽功率MOS器件及其制备方法，其包括元胞区、栅极电性接触区和终端保护区，所述元胞区中，利用反型制备的且与体区同型的体接触区使源区和体区实现等电位。本发明的元胞间距最小可达0.76μm，使本发明的器件为高元胞密度；本发明采用了无掩膜版注入（BlankImplantation），简化工艺；在保证0.16μm的最小光刻胶线宽的同时，本发明避免了小线宽光刻工艺中光刻胶宽度过小而导致的倒胶问题；本发明可进一步增加体接触区的掺杂浓度，以降低体接触区与源体接触金属层之间、以及体接触区与体接触金属层之间的接触电阻；本发明改进了常规栅极电性接触方法，降低了工艺难度。