- 专利标题: 一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路
- 专利标题(英): Reference current source generating circuit in complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) integrated circuit
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申请号: CN201110427584.7申请日: 2011-12-19
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公开(公告)号: CN103163935B公开(公告)日: 2015-04-01
- 发明人: 姜宇 , 郭桂良 , 阎跃鹏
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 逯长明; 王宝筠
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30
摘要:
本发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路,包括启动模块用于启动电流产生模块,当电流产生模块开始工作后,启动模块退出工作;电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流;基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压,产生一个与温度无关的基准电压;基准电流产生模块由基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流,该与绝对温度互补的电流与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。本发明提供的电路,利用一个正温度系数的电流和一个负温度系数的电流结合产生与温度无关的基准电流。而现有技术中由基准电压与电阻的比值实现的基准电流却受温度的影响。
公开/授权文献
- CN103163935A 一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路 公开/授权日:2013-06-19
IPC分类: