发明授权
CN103178165B 发光二极管及其制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 发光二极管及其制作方法
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申请号: CN201110432735.8申请日: 2011-12-21
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公开(公告)号: CN103178165B公开(公告)日: 2015-10-07
- 发明人: 张洁玲 , 林新强
- 申请人: 展晶科技(深圳)有限公司 , 荣创能源科技股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 专利权人: 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人: 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 代理机构: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司
- 代理商 叶小勤
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L33/50
摘要:
一种发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:提供一基板,该基板包含贴设于其表面的电极层、形成于其上表面的反射杯及贯穿其上下表面的通道,该反射杯中部形成一朝上敞开的凹杯;设置一LED芯片于该凹杯内,所述基板、反射杯及LED芯片共同形成一承载结构;形成一第一封装层于该反射杯上,该第一封装层掺杂第一荧光粉,该第一封装层覆盖凹杯并与基板之间留有一空间;通过通道往凹杯内注入流体材料形成第二封装层,该第二封装层掺杂第二荧光粉,该第二荧光粉的激发效率高于第一荧光粉的激发效率。通过调节第一封装层与第二封装层相对于芯片的距离,可有效改善两种荧光粉激发不均匀的问题。本发明还提供一种发光二极管。
公开/授权文献
- CN103178165A 发光二极管及其制作方法 公开/授权日:2013-06-26
IPC分类: