发明授权
CN103194224B 碳化硅量子点及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 碳化硅量子点及其制备方法
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申请号: CN201310122820.3申请日: 2013-04-10
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公开(公告)号: CN103194224B公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 李公义 , 李焕湘 , 马军 , 李义和 , 胡天娇 , 楚增勇 , 李效东
- 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学理学院
- 专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学理学院
- 代理机构: 湖南兆弘专利事务所
- 代理商 赵洪; 杨斌
- 主分类号: C09K11/65
- IPC分类号: C09K11/65 ; C01B31/36
摘要:
本发明公开了一种碳化硅量子点及其制备方法,该碳化硅量子点呈类球状,粒径在2.5nm~5.5nm范围内呈正态分布,其激发波长为250nm~400nm,发射波长为350nm~450nm,荧光谱峰为380nm、400nm和420nm。碳化硅量子点的制备方法包括:将聚甲基硅烷与甲苯溶剂按0.5~10∶600的质量比混合,然后于高压釜中程序升温至500℃~600℃,再保温1h~5h后自然降温;将所得含碳化硅量子点的甲苯悬浊液进行过滤,再将滤液经冷冻干燥或高速离心后,得到碳化硅量子点。本发明的碳化硅量子点粒径分布集中、发光强而稳定,其制备方法简单易行、对环境友好。
公开/授权文献
- CN103194224A 碳化硅量子点及其制备方法 公开/授权日:2013-07-10