发明授权
CN103199054B 制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题： 制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
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申请号： CN201210006254.5申请日： 2012-01-10
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公开(公告)号： CN103199054B公开(公告)日： 2017-09-26
- 发明人: 陈骁 , 罗乐 , 汤佳杰 , 徐高卫
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 潘振甦
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/306
摘要：
本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au‑Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
公开/授权文献
- CN103199054A 制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺 公开/授权日：2013-07-10
IPC分类:
