发明授权
- 专利标题： 磁共振摄像装置、照射磁场测量方法
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申请号： CN201180053090.5申请日： 2011-10-13
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公开(公告)号： CN103200868B公开(公告)日： 2015-07-29
- 发明人: 伊藤公辅 , 泷泽将宏 , 黑川真次
- 申请人： 株式会社日立医疗器械
- 申请人地址： 日本东京都千代田区外神田四丁目14番1号101-0021
- 专利权人： 株式会社日立医疗器械
- 当前专利权人： 富士胶片医疗健康株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都千代田区外神田四丁目14番1号101-0021
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 樊建中
- 优先权： 2010-248652 2010.11.05 JP; 2011-147311 2011.07.01 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/073474 2011.10.13
- 国际公布： WO2012/060192 JA 2012.05.10
- 进入国家日期： 2013-05-03
- 主分类号： A61B5/055
- IPC分类号： A61B5/055 ; G01R33/44
摘要：
本发明提供一种可在短时间内高精度地测量RF发射线圈的B1分布的MRI装置。因此，MRI装置的摄像单元具备：包括RF照射单元的前脉冲的施加、和自施加上述前脉冲起的经过时间(TI)不同的多个信号获取序列的B1分布测量序列。信号获取序列采用翻转角小的脉冲作为RF脉冲，并在前脉冲后的纵向驰豫结束之前被执行。运算单元采用由多个信号获取序列分别得到的TI不同的图像数据，来计算RF照射单元的B1分布。
公开/授权文献
- CN103200868A 磁共振摄像装置、照射磁场测量方法 公开/授权日：2013-07-10