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CN103201835A 具有双重或多重蚀刻倒装芯片连接体的微电子封装和相应的制造方法 无效 - 撤回

  • 专利标题： 具有双重或多重蚀刻倒装芯片连接体的微电子封装和相应的制造方法
  • 专利标题（英）： Microelectronic package with dual or multiple - etched flip -chip connectors and corresponding manufacturing method
  • 申请号： CN201180042853.6
    申请日： 2011-07-07
  • 公开(公告)号： CN103201835A
    公开(公告)日： 2013-07-10
  • 发明人: 贝勒卡西姆·哈巴
  • 申请人： 德塞拉股份有限公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号(邮编:95134)
  • 专利权人： 德塞拉股份有限公司
  • 当前专利权人： 德塞拉股份有限公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号(邮编:95134)
  • 代理机构： 珠海智专专利商标代理有限公司
  • 代理商 段淑华; 刘曾剑
  • 优先权： 12/832,376 2010.07.08 US
  • 国际申请： PCT/US2011/043152 2011.07.07
  • 国际公布： WO2012/006403 EN 2012.01.12
  • 进入国家日期： 2013-03-06
  • 主分类号： H01L23/485
  • IPC分类号： H01L23/485 ;  H01L23/498 ;  H01L21/60
具有双重或多重蚀刻倒装芯片连接体的微电子封装和相应的制造方法
摘要：
封装的微电子元件（900），可包括具有正面（909）的微电子元件（902）和复数个从正面延伸的第一实心金属突柱（916）。基板（901）可具有主表面（906）和复数个在主表面暴露且与第一实心金属突柱（916）接合的导电元件（912）。在特定的示例中，导电元件（912）可为结合垫（992）或可为具有顶面（111）及以大角度从顶面向外延伸的边缘表面（113）的第二突柱（108）。每个第一实心金属突柱（916）可包括邻近微电子元件（902）的底部区域（36）及远离微电子元件的顶部区域（32），底部区域和顶部区域分别具有凹的外周面（46，44）。第一实心金属突柱（916）由多重蚀刻过程而形成，允许从单个金属层上形成单一的金属微触点或突柱，具有常规蚀刻过程中无法获得的间距、顶端直径和高度的组合。作为变例，从基板（921）顶面延伸的突柱（932）包括多重蚀刻的导电突柱，而从微电子元件（922）延伸的突柱（936）可为任意类型的导电突柱，或如另一变例，从基板（941）的顶面延伸的柱（952）及从微电子元件（942）的正面延伸的突柱（956）都包括多重蚀刻的导电突柱。
摘要（英）：

A packaged microelectronic element (900) can include a microelectronic element (902) having a front surface (909) and a plurality of first solid metal posts (916) extending away from the front surface. A substrate (901) can have a major surface (906) and a plurality of conductive elements (912) exposed at the major surface and joined to the first solid metal posts (916). In particular examples, the conductive elements (912) can be bond pads (992) or can be second posts (108) having top surfaces (111) and edge surfaces (113) extending at substantial angles away therefrom. Each first solid metal post (916) can include a base region (36) adjacent to the microelectronic element (902) and a tip region (32) remote from the microelectronic element, the base region and tip region having respective concave circumferential surfaces (46, 44). The first solid metal posts (916) are formed in a multi-step etching process which allows formation of unitary metallic microcontacts or posts from a single metallic layer with combinations of pitch, tip diameter and height not attainable in conventional etching processes. As a variation, posts (932) extending from a top surface of the substrate (921) include multiple - etched conductive posts while posts (936) extending from the microelectronic element (922) may be any type of conductive posts or, as another variation, posts (952) extending from a top surface of the substrate (941) and posts (956) extending from a front surface of the microelectronic element (942) include multiple - etched conductive posts.

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