- 专利标题： 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法
- 专利标题（英）： Silicon germanium on insulator (SGOI) or strained silicon on insulator (sSOI) preparation method based on quantum well structure
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申请号： CN201210017883.8申请日： 2012-01-19
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公开(公告)号： CN103219274B公开(公告)日： 2015-06-10
- 发明人: 张苗 , 陈达 , 刘林杰 , 狄增峰 , 薛忠营
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理商 李仪萍
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和/或Si以修复表面，再形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGex/Si的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGex/Si材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。
公开/授权文献
- CN103219274A 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法 公开/授权日：2013-07-24
IPC分类:
