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发明公开
CN103227212A 具有高光利用率的薄膜太阳能电池及制造方法 无效 - 撤回

具有高光利用率的薄膜太阳能电池及制造方法
摘要：
本发明公开了一种具有高光利用率的薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池主要包括：一基板、一前电极、一P型半导体层、一本质(i)型半导体层、一N型半导体层、一第三透明导电层以及一背电极。通过多层透明导电膜的设置可增加前电极的雾度，本发明的薄膜太阳能电池可提升光利用率与整体光电转换效率。
摘要（英）：

The invention discloses a thin-film solar cell with high light utilization rate and a manufacture method thereof. The thin-film solar cell mainly comprises a base plate, a front electrode, a P-type semiconductor layer, an essence (i) type semiconductor layer, an N-type semiconductor layer, a third transparent conductive layer and a back electrode. Via arranging a plurality of layers of transparent conductive films, the haze of the front electrode can be improved. The thin-film solar cell can improve the light utilization rate and the overall photoelectric conversion efficiency.

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