- 专利标题: 金属丝放电加工装置以及半导体晶片制造方法
- 专利标题(英): Wire discharge apparatus and semiconductor wafer manufacturing method
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申请号: CN201180056169.3申请日: 2011-05-18
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公开(公告)号: CN103228387A公开(公告)日: 2013-07-31
- 发明人: 三宅英孝 , 佐藤达志 , 福岛一彦
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郭小军
- 优先权: 2010-261461 2010.11.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/002772 2011.05.18
- 国际公布: WO2012/070167 JA 2012.05.31
- 进入国家日期: 2013-05-23
- 主分类号: B23H7/10
- IPC分类号: B23H7/10 ; B23H7/02
摘要:
获得将金属丝(3)在主引导辊(1a~1d)间卷挂多次并同时进行多个切断加工的金属丝放电加工装置,该金属丝放电加工装置抑制切断金属丝部(CL)的振动而能够进行稳定加工。与主引导辊(1a~1d)分开地以引导金属丝(3)并形成抑制了振动的多个切断金属丝部(CL)的方式具备从动式的减振引导辊(7a,7b)或者减振引导件(21a,21b),规定切断金属丝部(CL)相对喷嘴(8a,8b)的位置。
公开/授权文献
- CN103228387B 金属丝放电加工装置以及半导体晶片制造方法 公开/授权日:2015-09-02