本发明提供半导体激光器设备，包括：半导体结构（10），在沿纵向轴线（2）的相对侧上具有端部表面（1a，1b），结构（10）被形成为在该结构的顶部表面（4）和底部表面（5）之间具有有源区层（12）；纵向结构（20），设置在顶部表面（4）上，以通过接触表面（22）接收电流；第一纵向交指型换能器IDT（35），设置在顶部表面（4）上，第一IDT（35）在平行于纵向轴线（2）的方向上纵向延伸，且被布置为在平行于纵向轴线（2）的方向上产生表面声波SAW，其中第一IDT（35）被布置为平行于纵向结构（20），IDT（35）的中心和纵向结构的中心沿横向轴线（3）分隔开一个距离。电流经由顶部触点（22a）和底部触点被供应至有源区，且经由两个触点（22b,22c）被供应至IDT（35）。结构（20）可以是一个脊。