发明授权
- 专利标题： CMOS带隙基准源电路
- 专利标题（英）： CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) band-gap reference source circuit
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申请号： CN201310166026.9申请日： 2013-05-07
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公开(公告)号： CN103246310B公开(公告)日： 2015-07-22
- 发明人: 王本艳 , 张宁 , 冒杨雷
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海申新律师事务所
- 代理商 竺路玲
- 主分类号： G05F1/567
- IPC分类号： G05F1/567
摘要：
本发明涉及微电子学领域，具体涉及一种CMOS带隙基准源电路，通过在传统的CMOS带隙基准源电路增设了两个一次项系数相反同时二次项系数为正的电阻，可抵消三极管的发射结电压的二次项负温系数。使其在一次项抵消的同时，正二次项项系数和三极管结电压负的二次项系数相抵消，从而使结电压的温度敏感度进一步降低，进而提高电路的稳定性。
公开/授权文献
- CN103246310A CMOS带隙基准源电路 公开/授权日：2013-08-14
IPC分类:
