发明公开
- 专利标题: 磁传感器装置
- 专利标题(英): Magnetic sensor device
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申请号: CN201310050784.4申请日: 2013-02-08
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公开(公告)号: CN103257324A公开(公告)日: 2013-08-21
- 发明人: 村冈大介
- 申请人: 精工电子有限公司
- 申请人地址: 日本千叶县
- 专利权人: 精工电子有限公司
- 当前专利权人: 艾普凌科有限公司
- 当前专利权人地址: 日本千叶县
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 黄纶伟
- 优先权: 2012-031935 2012.02.16 JP
- 主分类号: G01R33/07
- IPC分类号: G01R33/07
摘要:
本发明提供磁传感器装置。为了设定检测电压电平,需要设置由泄放电阻器构成的检测电压设定电路,电路结构复杂。此外,由于霍尔元件与上述检测电压设定电路的电源系统是分开的,所以存在由于该影响而产生检测电压电平误差的问题。此外,为了去除各偏移成分,需要两次采样阶段和1次比较阶段共计3次信号处理期间。作为解决手段,构成为:利用4个开关,对霍尔元件的各端子以及一端与GND连接的可变电阻器的另一端进行切换和连接。由此,能够利用小规模电路任意设定磁场强度的检测电压电平,检测电压电平仅由电阻比决定,所以不受电源电压或制造偏差的影响。在本结构中,简化了信号处理,可实现高速化。
公开/授权文献
- CN103257324B 磁传感器装置 公开/授权日:2016-12-28