发明公开
CN103278511A 基于多尺度角点特征提取的晶片缺陷检测方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于多尺度角点特征提取的晶片缺陷检测方法
- 专利标题(英): Wafer defect detection method based on multi-scale corner feature extraction
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申请号: CN201310186579.0申请日: 2013-05-17
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公开(公告)号: CN103278511A公开(公告)日: 2013-09-04
- 发明人: 张旭苹 , 谢飞 , 李强 , 张益昕 , 王顺
- 申请人: 南京大学 , 南京发艾博光电科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
- 专利权人: 南京大学,南京发艾博光电科技有限公司
- 当前专利权人: 南京大学,南京发艾博光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 许方
- 主分类号: G01N21/88
- IPC分类号: G01N21/88
摘要:
本发明公开了基于多尺度角点特征提取的晶片缺陷检测方法,属于晶片缺陷检测的技术领域。本发明通过寻找各层尺度空间中相同图像区域内响应最大的角点作为神经网络的训练特征向量,进而判定晶片缺陷,避免了对环境光线变化敏感的问题,实现了对晶片缺陷的有效分类,具有高稳定性、高检测效率、低敏感度的有益效果。
公开/授权文献
- CN103278511B 基于多尺度角点特征提取的晶片缺陷检测方法 公开/授权日:2015-04-29