靶材及其制备方法、显示装置
摘要:
本发明实施例公开了一种靶材及其制备方法以及一种利用该靶材制作沟道层的显示装置,其中,所述靶材具有式(I)所示的原子比:AaBbGecZnOd (I),其中,A和B分别为元素Pb、Tl、Sn、Sb和Bi中的任一种元素;a和b的取值范围均为0-100,包括端点值,且a和b不同时为0,c的取值范围为0.01-100,包括端点值。本发明实施例所提供的靶材,具有更高的载流子迁移率,能够满足高分辨率、窄边框集成驱动的主动显示器件的电流要求,且成本较低。
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