发明授权
- 专利标题： 鳍式晶体管的形成方法
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申请号： CN201210071314.1申请日： 2012-03-16
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公开(公告)号： CN103311111B公开(公告)日： 2015-12-16
- 发明人: 洪中山
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/336
摘要：
一种鳍式晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有多个鳍部，所述鳍部顶部表面具有阻挡层；在基底表面形成覆盖所述鳍部的第一覆盖层；平坦化所述第一覆盖层直至暴露出阻挡层；在所述阻挡层和所述第一覆盖层表面、采用沉积工艺形成第二覆盖层；刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层，形成伪栅。本发明实施例的鳍式晶体管的形成方法良率高。
公开/授权文献
- CN103311111A 鳍式晶体管的形成方法 公开/授权日：2013-09-18
IPC分类:
