发明授权
- 专利标题： 半导体集成装置
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申请号： CN201310067617.0申请日： 2013-03-04
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公开(公告)号： CN103311238B公开(公告)日： 2017-08-08
- 发明人: 渕上千加志
- 申请人： 拉碧斯半导体株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县横滨市
- 专利权人： 拉碧斯半导体株式会社
- 当前专利权人： 拉碧斯半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县横滨市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 何欣亭; 李浩
- 优先权： 2012-048870 20120306 JP
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
本发明目的在于提供能够切实防止静电破坏的半导体集成装置。具备：半导体衬底，在其主面形成有包含包围作为局部区域的第1扩散区域的第2扩散区域的静电保护电路；与该主面相对的金属焊盘；以及与金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台，在导电性凸台中的与金属焊盘的相对面上，在与上述第1扩散区域相对的范围内，设置与金属焊盘接触的突起部。
公开/授权文献
- CN103311238A 半导体集成装置 公开/授权日：2013-09-18
IPC分类:
