本发明涉及一种装置，其包括：多个位于堆中的平板，所述平板限定出至少一个工艺层和至少一个热交换层，每个平板均具有外周边缘，每个平板的外周边缘被焊接至下一个相邻平板的外周边缘，以为所述堆提供外周密封，所述相邻平板中的每个平板的平均表面积与所述相邻平板之间的焊接的平均熔深的比值至少为大约100cm2/mm。所述堆可以被用作微通道处理器的核心组件。所述微通道处理器可以被用于实施一个或多个单元操作，所述单元操作包括化学反应，例如SMR反应。