- 专利标题: 具有分段形成的贯通硅通路及芯片上载体的堆叠微电子组件
- 专利标题(英): Stacked microelectronic assembly with tsvs formed in stages and carrier above chip
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申请号: CN201180066039.8申请日: 2011-03-22
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公开(公告)号: CN103339717A公开(公告)日: 2013-10-02
- 发明人: 瓦格·奥甘赛安 , 贝勒卡西姆·哈巴 , 伊利亚斯·默罕默德 , 克雷格·米切尔 , 皮尤什·萨瓦利亚
- 申请人: 德塞拉股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号
- 专利权人: 德塞拉股份有限公司
- 当前专利权人: 德塞拉股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号
- 代理机构: 珠海智专专利商标代理有限公司
- 代理商 段淑华; 刘曾剑
- 优先权: 61/419,033 2010.12.02 US; 13/051,424 2011.03.18 US
- 国际申请: PCT/US2011/029394 2011.03.22
- 国际公布: WO2012/074570 EN 2012.06.07
- 进入国家日期: 2013-07-25
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/498 ; H01L23/48
摘要:
提供的微电子组件(100)包括,基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成的第一元件(110),第一元件(110)具有面对且与微电子元件(102)的主表面(104)附接的表面(103),复数个导电垫(106)在主表面(104)暴露,微电子元件(102)内具有有源半导体器件。第一开口(111)从第一元件(110)的暴露表面(118)朝着与微电子元件(102)附接的表面(103)延伸,第二开口(113)从第一开口(111)延伸至第一个导电垫(106),其中在第一开口与第二开口相交处,第一开口的内表面(121)和第二开口的内表面(123)相对于微电子元件(102)的主表面(104)以不同角度延伸。导电元件(114)在第一开口(111)及第二开口(113)内延伸,且可与至少一个导电垫(106)接触。
公开/授权文献
- CN103339717B 具有分段形成的贯通硅通路及芯片上载体的堆叠微电子组件 公开/授权日:2016-09-07
IPC分类: