发明授权
CN103347982B 具有掺杂浓度梯度的发射性陶瓷材料及其制造方法和使用方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有掺杂浓度梯度的发射性陶瓷材料及其制造方法和使用方法
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申请号: CN201180064498.2申请日: 2011-11-29
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公开(公告)号: CN103347982B公开(公告)日: 2016-05-25
- 发明人: 潘光 , 宮川浩明 , 藤井宏中 , 张彬 , 拉贾什·穆克尔吉 , 中村年孝 , 望月周
- 申请人: 日东电工株式会社
- 申请人地址: 日本大阪
- 专利权人: 日东电工株式会社
- 当前专利权人: 日东电工株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪
- 代理机构: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王达佐; 安佳宁
- 优先权: 61/418,725 2010.12.01 US
- 国际申请: PCT/US2011/062411 2011.11.29
- 国际公布: WO2012/075018 EN 2012.06.07
- 进入国家日期: 2013-07-08
- 主分类号: C09K11/80
- IPC分类号: C09K11/80 ; C04B35/44
摘要:
本文公开了发射性陶瓷材料,该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中,发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中,发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
公开/授权文献
- CN103347982A 具有掺杂浓度梯度的发射性陶瓷材料及其制造方法和使用方法 公开/授权日:2013-10-09