发明公开
CN103352211A 一种低维钽基纳米阵列光电极制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种低维钽基纳米阵列光电极制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of low-dimensional tantalum-based nano-array photo-electrode
-
申请号: CN201310232102.1申请日: 2013-06-09
-
公开(公告)号: CN103352211A公开(公告)日: 2013-10-16
- 发明人: 侯军刚 , 朱鸿民 , 焦树强 , 杨超 , 王政
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京市广友专利事务所有限责任公司
- 代理商 张仲波
- 主分类号: C23C18/12
- IPC分类号: C23C18/12 ; C23C8/28 ; C25B11/00 ; H01M14/00
摘要:
一种低维钽基纳米阵列光电极制备方法,属于太阳能、光催化与光化学材料领域。以金属钽箔为出始原料,将其与氢氟酸、双氧水、钴酸盐以及铜酸盐等混合,在高压反应釜中恒温反应,得到以钽箔为基底的、表面均匀生长低维钽基纳米阵列以及金属氧化物负载的光电极。经乙醇和水洗涤干燥后进一步将其转移到热处理炉中进行氮化热处理,通过控制氨气与水蒸气的比例以及流量,经过不同的时间,将得到不同含氮量的钽的氮氧化物和氮化物阵列光电极,再通过旋涂法将石墨烯或者氮掺杂石墨烯均匀覆盖在纳米阵列的表面,其钽基复合纳米阵列光电极的光电转化效率显著提高。本发明制备的可见光响应的钽基纳米阵列光电极具有较高的光量子转化效率,用于太阳能转化利用。
IPC分类: