本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，设置一石墨烯膜于该基底的上表面，设置两个条形电极于该石墨烯膜的上表面，且与该石墨烯膜电绝缘；提供一碳纳米管拉膜复合结构，覆盖于该石墨烯膜的上表面，且与所述两个条形电极电接触，该碳纳米管拉膜复合结构由一碳纳米管拉膜结构与一高分子材料复合而成，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及分布于其间的带状间隙；利用电子束轰击的方法去除所述多个碳纳米管束周围的高分子材料，从而露出该多个碳纳米管束；利用反应离子刻蚀该多个碳纳米管束及位于其下方的石墨烯膜，获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带。本发明还涉及一种高分子掩膜的制备方法。