薄膜晶体管

发明公开

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专利标题： 薄膜晶体管
专利标题（英）： Semiconductor devices and methods for fabricating the same
申请号： CN201310126339.1

申请日： 2013-04-12
公开(公告)号： CN103378165A

公开(公告)日： 2013-10-30
发明人: 林志勋 , 安秉斗 , 金建熙 , 朴埈贤 , 李制勋 , 朴在佑 , 金大奂 , 郑贤广 , 金在亨
申请人： 三星显示有限公司 , 国民大学校算学协力团
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 三星显示有限公司,国民大学校算学协力团
当前专利权人： 三星显示有限公司,国民大学校算学协力团
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 屈玉华
优先权： 10-2012-0039237 2012.04.16 KR
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786

摘要：

一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。

摘要（英）：

A thin film transistor includes a gate electrode, a first insulating layer disposed to cover the gate electrode, a semiconductor layer disposed on the first insulating layer that includes a first side surface portion, a source electrode disposed on the semiconductor layer, and a drain electrode disposed on the first insulating layer that includes a second side surface portion. The first side surface portion makes contact with the second side surface portion.

公开/授权文献

CN103378165B 薄膜晶体管公开/授权日：2018-12-11

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管