发明授权
CN103381573B 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
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申请号： CN201310200761.7申请日： 2013-05-27
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公开(公告)号： CN103381573B公开(公告)日： 2016-08-10
- 发明人: 苏建修 , 庞子瑞 , 马利杰 , 付素芳 , 姚建国 , 郑秋白 , 刘志响 , 张竹青
- 申请人： 河南科技学院
- 申请人地址： 河南省新乡市华兰大道东段河南科技学院机电学院
- 专利权人： 河南科技学院
- 当前专利权人： 河南科技学院
- 当前专利权人地址： 河南省新乡市华兰大道东段河南科技学院机电学院
- 代理机构： 新乡市平原专利有限责任公司
- 代理商 吕振安
- 主分类号： B24B37/14
- IPC分类号： B24B37/14
摘要：
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是，本发明的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%。本发明能够有效降低SiC单晶基片的加工成本，并且提高了SiC单晶基片的加工质量。
公开/授权文献
- CN103381573A 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘 公开/授权日：2013-11-06
